6n60 Transistor 125W
Tipo: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W
Tensión drenaje-fuente |Vds|: 600 V
Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 70 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO-220
Valoraciones
No hay valoraciones aún.