BD-137 NPN Transistores Media Potencia
Transistor Bipolar BD137 (BJT) NPN características: Material: Silicio.
Polaridad: NPN.
Máx. voltaje VCEO colector-emisor: 60 v. Tensión VCBP Colector-Base: 60 v.
Voltaje VEBO Emisor-Base: 5 v.
Temperatura adecuada de operación: -50° a 145°C. Estilo de Montaje: Through-Hole.
Encapsulado: TO 126.
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